Local Neutron Transmutation Doping using isotopically Enriched Silicon Film
Local Neutron Transmutation Doping using isotopically Enriched Silicon Film
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使用同位素富集硅膜进行局域中子嬗变掺杂
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
4
通讯作者：
Kiichi Hojou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoichi Yamada;Hiroyuki Yamamoto;Hironori Ohba;Masato Sasase;Fumitaka Esaka;Kenji Shamoto;Atsushi Yokoyama;Kiichi Hojou
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DOI：
10.1007/978-1-4613-2695-3
发表时间：
1984
期刊：
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影响因子：
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作者：
R. Larrabee
通讯作者：
R. Larrabee
利用双频 CO2 激光照射 Si2F6 的红外多光子解离进行硅同位素分离
DOI：
10.1007/s00340-004-1642-z
发表时间：
2004
期刊：
Applied Physics B
影响因子：
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作者：
A. Yokoyama;H. Ohba;M. Hashimoto;K. Katsumata;H. Akagi;T. Ishii;A. Ohya;S. Arai
通讯作者：
S. Arai
氢封端 Si(111) 表面次表面掺杂剂的研究
影响因子：
1.5
作者：
S. Kurokawa;T. Takei;A. Sakai
通讯作者：
A. Sakai
掺杂剂原子分布的纳米级波动：掺杂剂引起的点和电子界面的粗糙度
影响因子：
1.4
作者：
P. Ebert;N. D. Jäger;K. Urban;E. Weber
通讯作者：
E. Weber
半导体中的中子嬗变掺杂
DOI：
10.1007/978-1-4684-8249-2
发表时间：
1979
期刊：
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影响因子：
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作者：
J. M. Meese
通讯作者：
J. M. Meese