Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer
Hole Spin Relaxation in an Ultrathin InAs Monolayer
复制标题
超薄 InAs 单层中的空穴自旋弛豫
DOI：
10.1088/0256-307x/26/5/057303
复制
发表时间：
2009-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
张新惠
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
张新惠
我们调查的自旋弛豫时间的空穴在一个中性的InAs单层（1.5 ML）和比较与电子，使用偏振相关的时间分辨光致发光（TRPL）实验。在GaAs带隙以上的激发能量下，我们观察到空穴的相当慢的弛豫（τ（1h）= 196 +/- 17 ps），其幅度与该GaAs样品中的电子（τ（1 e）= 354 +/- 32 ps）相似。计算结果与理论预测相吻合，表明自旋-轨道耦合引起的声子散射在载流子自旋动力学中起主导作用。
We investigate the spin relaxation time of holes in an ultrathin neutral InAs monolayer (1.5 ML) and compare with that of electrons, using polarization-dependent time-resolved photoluminescence (TRPL) experiments. With excitation energies above the GaAs gap, we observe a rather slow relaxation of holes (tau(1h) = 196 +/- 17 ps) that is in the magnitude similar to electrons (tau(1e) = 354 +/- 32 ps) in this ultrathin sample. The results are in good agreement with earlier theoretical prediction, and the phonon scattering due to spin-orbit coupling is realized to play a dominant role in the carrier spin kinetics.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1007/978-3-662-05003-3
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
通讯作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
影响因子：
2.1
作者：
Zheng Sun;Z. Xu;X. Ruan;Y. Ji;Baojuan Sun;Meng Wang;H. Ni
通讯作者：
Zheng Sun;Z. Xu;X. Ruan;Y. Ji;Baojuan Sun;Meng Wang;H. Ni
DOI：
10.1063/1.1695637
发表时间：
2003-06
期刊：
Postconference Digest Quantum Electronics and Laser Science, 2003. QELS.
影响因子：
--
作者：
Kimberley C. Hall;Kenan Gundogdu;L. Zhang;T. Boggess;D. Deppe;O. Shchekin
通讯作者：
Kimberley C. Hall;Kenan Gundogdu;L. Zhang;T. Boggess;D. Deppe;O. Shchekin
影响因子：
8.6
作者：
MARZIN, JY;GERARD, JM;BASTARD, G
通讯作者：
BASTARD, G
影响因子：
8.6
作者：
Ohno, Y;Terauchi, R;Ohno, H
通讯作者：
Ohno, H