"High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"
"High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth,"
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“高 Ge 分数本征 SiGe 异沟道 MOSFET，具有通过原位掺杂选择性 CVD 外延生长形成的嵌入式 SiGe 源/漏电极，”
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and J. Murota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takehiro;M. Sakuraba;T. Tsuchiya;and J. Murota
使用 B 掺杂 SiGe CVD 在高 Ge 分数 Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构上制造具有超浅源极/漏极的 0.12-μm pMOSFET
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Surf.Sci. Vol.224
影响因子：
--
作者：
D.Lee;S.Takehiro;M.Sakuraba;J.Murota;T.Tsuchiya
通讯作者：
T.Tsuchiya
使用选择性 Si1−xGex CVD 的 MOSFET 超浅结超自对准技术
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00814-5
发表时间：
2002
影响因子：
3.6
作者：
T. Yamashiro;T. Kikuchi;M. Ishii;F. Honma;M. Sakuraba;T. Matsuura;J. Murota;T. Tsuchiya
通讯作者：
T. Tsuchiya
SiGe/Si 异质界面中陷阱密度的直接测量以及 SiGe 沟道 pMOSFET 中陷阱密度与低频噪声之间的相关性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
IEEE Trans. Electron Devices 50
影响因子：
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作者：
A.Hirose;Y.Asano;T.Hamano;T.Tsuchiya et al.
通讯作者：
T.Tsuchiya et al.