Fabrication of 0.12-μm pMOSFETs on High Ge Fraction Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructure with Ultrashallow Source/Drain Formed using B-Doped SiGe CVD
Fabrication of 0.12-μm pMOSFETs on High Ge Fraction Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructure with Ultrashallow Source/Drain Formed using B-Doped SiGe CVD
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使用 B 掺杂 SiGe CVD 在高 Ge 分数 Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) 异质结构上制造具有超浅源极/漏极的 0.12-μm pMOSFET
DOI：
--
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D.Lee;S.Takehiro;M.Sakuraba;J.Murota;T.Tsuchiya
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