Carrier relaxation bottleneck in type-II InAs/InGaAlAs/InP(001) coupled quantum dots-quantum well structure emitting at 1.55 μm
Carrier relaxation bottleneck in type-II InAs/InGaAlAs/InP(001) coupled quantum dots-quantum well structure emitting at 1.55 μm
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II 型 InAs/InGaAlAs/InP(001) 耦合量子点-量子阱结构中载流子弛豫瓶颈，发射波长为 1 55 μm
DOI：
10.1063/1.5027596
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发表时间：
2018
影响因子：
4
通讯作者：
G. Sęk
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. G. Syperek;J. Andrzejewski;E. Rogowicz;J. Misiewicz;S. Bauer;V. I. Sichkovskyi;J. P. Reithmaier;G. Sęk
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影响因子：
1.6
作者：
Wojciech Rudno‐Rudziński;M. Syperek;J. Andrzejewski;A. Maryński;J. Misiewicz;A. Somers;S. Höfling;J. Reithmaier;G. Sȩk
通讯作者：
Wojciech Rudno‐Rudziński;M. Syperek;J. Andrzejewski;A. Maryński;J. Misiewicz;A. Somers;S. Höfling;J. Reithmaier;G. Sȩk
量子点光电器件的非线性和非平衡动力学
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Lingnau
通讯作者：
B. Lingnau
高速隧道注入量子阱和量子点激光器
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
Photonics West
影响因子：
--
作者：
P. Bhattacharya;Xiangkun Zhang;Yahsing Yuan;K. Kamath;D. Klotzkin;C. Caneau;R. Bhat
通讯作者：
R. Bhat
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DOI：
--
发表时间：
2001
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影响因子：
--
作者：
S. Marcinkevičius;A. Gaarder;R. Leon
通讯作者：
R. Leon
DOI：
10.1007/978-1-4614-3570-9
发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
--
作者：
Zhiming M. Wang
通讯作者：
Zhiming M. Wang