Enhanced hole concentration in strain-compensated BAlN/AlGaN superlattice for deep ultraviolet light-emitting diodes
Enhanced hole concentration in strain-compensated BAlN/AlGaN superlattice for deep ultraviolet light-emitting diodes
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用于深紫外发光二极管的应变补偿 BAlN/AlGaN 超晶格中增强的空穴浓度
DOI：
10.1016/j.spmi.2021.107128
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发表时间：
2021-12
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xiaohang Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wen Gu;Yi Lu;Zhiyuan Liu;Che-Hao Liao;Jianchang Yan;Junxi Wang;Jinmin Li;Xiaohang Li
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DOI：
--
发表时间：
2018-08
期刊：
arXiv: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Kaikai Liu;Xiaohang Li
通讯作者：
Kaikai Liu;Xiaohang Li
使用多维镁掺杂超晶格改善富铝 AlGaN 中的 p 型电导率
影响因子：
4.6
作者：
Zheng TC;Lin W;Liu R;Cai DJ;Li JC;Li SP;Kang JY
通讯作者：
Kang JY
DOI：
10.1088/1361-6463/aba4d5
发表时间：
2020-07
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Rongyu Lin;Xinwei Liu;Kaikai Liu;Yi Lu;Xinke Liu;Xiaohang Li
通讯作者：
Rongyu Lin;Xinwei Liu;Kaikai Liu;Yi Lu;Xinke Liu;Xiaohang Li
影响因子：
4
作者：
Kaikai Liu;Haiding Sun;F. AlQatari;Wenzhe Guo;Xinwei Liu;Jingtao Li;C. Castanedo;Xiaohang Li
通讯作者：
Kaikai Liu;Haiding Sun;F. AlQatari;Wenzhe Guo;Xinwei Liu;Jingtao Li;C. Castanedo;Xiaohang Li
影响因子：
4
作者：
Haiding Sun;Young Jae Park;Kuang-Hui Li;C. Castanedo;Abdulmohsen Alowayed;T. Detchprohm;R. Dupuis
通讯作者：
Haiding Sun;Young Jae Park;Kuang-Hui Li;C. Castanedo;Abdulmohsen Alowayed;T. Detchprohm;R. Dupuis