Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation
Crystallization of Si in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation
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热等离子体射流辐照诱导硅在毫秒时域内结晶
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Higashi;H.Kaku;T.Okada;H.Murakami;S.Miyazaki
使用基本连续波钇铝石榴石激光器定向结晶硅薄膜（薄膜区域熔化）
影响因子：
1.5
作者：
N. Sotani;I. Hasegawa;D. Ide;Tomoyuki Nohda;K. Yamano
通讯作者：
K. Yamano
脉冲激光晶化硅薄膜的高压水蒸气热处理
影响因子：
1.5
作者：
K. Asada;K. Sakamoto;Tadashi Watanabe;T. Sameshima;S. Higashi
通讯作者：
S. Higashi
影响因子：
1.5
作者：
S. Higashi;T. Sameshima
通讯作者：
T. Sameshima