Passivation of oxide traps in gallium arsenide (semiconductor) metal-oxide-semiconductor capacitor with high-k dielectric by using fluorine incorporation
Passivation of oxide traps in gallium arsenide (semiconductor) metal-oxide-semiconductor capacitor with high-k dielectric by using fluorine incorporation
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通过掺氟钝化高 k 电介质砷化镓（半导体）金属氧化物半导体电容器中的氧化物陷阱
DOI：
10.1116/1.4927483
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发表时间：
2015-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jingping Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lining Liu;Hoi Wai Choi;Pui To Lai;Jingping Xu
Gallium arsenide (semiconductor) (GaAs) metal-oxide-semiconductor capacitors with fluorine-incorporated TaHfON as gate dielectric are fabricated by pre- or postdeposition fluorine plasma treatment and their electrical and physical properties are compared
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氟掺入对 HfTiON 电介质 Ge p-MOS 电容器性能的影响
DOI：
10.1016/j.sse.2010.03.002
发表时间：
2010-07
期刊：
Solid-State Electronics, vol. 54, pp. 675-679. 2010
影响因子：
--
作者：
C. X. Li, C. H. Leung, P. T. Lai, J. P. Xu
通讯作者：
C. X. Li, C. H. Leung, P. T. Lai, J. P. Xu
影响因子：
4
作者：
Liang Wang;Jiqu Xu;Shi-Yao Zhu;Yi Huang;P. Lai
通讯作者：
Liang Wang;Jiqu Xu;Shi-Yao Zhu;Yi Huang;P. Lai
影响因子：
4.9
作者：
I. Ok;H. Kim;Manhong Zhang;C. Kang;S. Rhee;C. Choi;S. Krishnan;Tackhwi Lee;F. Zhu;G. Thareja-G.
通讯作者：
I. Ok;H. Kim;Manhong Zhang;C. Kang;S. Rhee;C. Choi;S. Krishnan;Tackhwi Lee;F. Zhu;G. Thareja-G.
影响因子：
2.1
作者：
Souvik Kundu;T. Shripathi;P. Banerji
通讯作者：
Souvik Kundu;T. Shripathi;P. Banerji
影响因子：
1.4
作者：
Kundu, Souvik;Roy, Sandipta;Shripathi, T.
通讯作者：
Shripathi, T.