Effects of fluorine incorporation on the properties of Ge p-MOS capacitors with HfTiON dielectric
Effects of fluorine incorporation on the properties of Ge p-MOS capacitors with HfTiON dielectric
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氟掺入对 HfTiON 电介质 Ge p-MOS 电容器性能的影响
DOI：
10.1016/j.sse.2010.03.002
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发表时间：
2010-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C. X. Li, C. H. Leung, P. T. Lai, J. P. Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. X. Li, C. H. Leung, P. T. Lai, J. P. Xu
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影响因子：
4.9
作者：
Jiqu Xu;Xiaoyu Zhang;Cheng Li;P. T. Lai;C. Chan
通讯作者：
Jiqu Xu;Xiaoyu Zhang;Cheng Li;P. T. Lai;C. Chan
影响因子：
2.3
作者：
S. Mandal;S. Chakraborty;C. K. Maiti
通讯作者：
S. Mandal;S. Chakraborty;C. K. Maiti
DOI：
10.1116/1.1705590
发表时间：
2004-07
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
Jinghao Chen;W. Yoo;Zerlinda Y. L. Tan;Y. Wang;D. Chan
通讯作者：
Jinghao Chen;W. Yoo;Zerlinda Y. L. Tan;Y. Wang;D. Chan
影响因子：
4.9
作者：
Suzanne C. Martin;L. Hitt;James J. Rosenberg
通讯作者：
Suzanne C. Martin;L. Hitt;James J. Rosenberg
影响因子：
3.2
作者：
Paskaleva, A;Bauer, AJ;Zürcher, S
通讯作者：
Zürcher, S