Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach
Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach
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三卤化物气相外延过程中 GaN 的面稳定性：一种从头算的方法
DOI：
10.1039/d0ce01683g
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Koukitu Akinori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yosho Daichi;Matsuo Yuriko;Kusaba Akira;Kempisty Pawel;Kangawa Yoshihiro;Murakami Hisashi;Koukitu Akinori
采用从头算方法研究了三卤化物气相外延（THVPE）过程中GaN的面稳定性。首先，分析表面重建以创建作为气体压力和温度的函数的表面相图。其次，三角形楔模型被用来计算绝对表面形成能与体状态作为参考。一个武尔夫建设是用来预测的晶体生长形式组成的积极优先方面。计算结果可用于控制THVPE生长GaN的形貌。
An ab initio-based approach is used to investigate the facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy (THVPE). First, surface reconstructions are analyzed to create surface phase diagrams as a function of the gaseous pressure and temperature. Next, a triangular wedge model is used to compute absolute surface formation energies with the bulk state as a reference. A Wulff construction is used to predict the crystal growth form composed of energetically preferred facets. The calculated results can be used to control the shape of GaN grown by THVPE.
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