Organic Field-Effect Transistors with Suppressed DC Bias-Stress Degradations
Organic Field-Effect Transistors with Suppressed DC Bias-Stress Degradations
复制标题
具有抑制直流偏置应力退化的有机场效应晶体管
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Takao Someya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tsuyoshi Sekitani;Shingo Ibe;Yusaku Kato;Yoshiaki Noguchi;Takayasu Sakurai;Takao Someya
登录
查看更多内容
超薄HfO 2 金属氧化物半导体场效应晶体管正动态应力下阈值电压不稳定特性
影响因子：
4
作者：
S. Rhee;C. Kang;C. Kang;C. Choi;R. Choi;M. Akbar;Jack C. Lee
通讯作者：
Jack C. Lee
DOI：
10.1073/pnas.0401918101
发表时间：
2004-07-06
影响因子：
11.1
作者：
Someya, T;Sekitani, T;Sakurai, T
通讯作者：
Sakurai, T
影响因子：
4
作者：
POWELL, MJ;VANBERKEL, C;HUGHES, JR
通讯作者：
HUGHES, JR
影响因子：
3.4
作者：
H. Gomes;P. Stallinga;F. Dinelli;M. Murgia;F. Biscarini;D. Leeuw;M. Muccini;K. Müllen
通讯作者：
K. Müllen
采用 HfO2 栅极电介质的自对准多晶硅栅极 n 型场效应晶体管的电压引起的退化
影响因子：
4
作者：
Jaehoon Park;Moonju Cho;Hong;T. Park;S. Lee;S. Hong;D. Jeong;Chihoon Lee;C. Hwang
通讯作者：
C. Hwang