Epitaxial Growth and Thermoelectric Properties of SiGe Films Prepared By Ion Sputtering Technique
Epitaxial Growth and Thermoelectric Properties of SiGe Films Prepared By Ion Sputtering Technique
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离子溅射技术制备SiGe薄膜的外延生长及其热电性能
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Motoba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Sasaki;J.Yamamoto;H.Watase;A.Motoba
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热退火重 B 掺杂 SiGe 薄膜上的异常大热电势
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. 41(8B)
影响因子：
--
作者：
T.Kawahara;S.M.Lee;Y.Okamoto;J.Morimoto;K.Sasaki;T.Hata
通讯作者：
T.Hata
影响因子：
3.2
作者：
M. Takashiri;T. Borca-Tasciuc;A. Jacquot;K. Miyazaki;Gang Chen
通讯作者：
M. Takashiri;T. Borca-Tasciuc;A. Jacquot;K. Miyazaki;Gang Chen
超重B掺杂Si/Ge多层膜的热电性能研究
影响因子：
1.2
作者：
A. Matoba;H. Watase;M. Kitai;K. Sasaki
通讯作者：
K. Sasaki
Si缓冲层和SiO2衬底制备的Si/GeB多层膜的结晶度和热电性能
影响因子：
1.5
作者：
A. Matoba;K. Sasaki;M. Kumeda
通讯作者：
M. Kumeda