Photoluminescence studies of InGaAs/InAlAs strained double quantum wells
Photoluminescence studies of InGaAs/InAlAs strained double quantum wells
复制标题
InGaAs/InAlAs应变双量子阱的光致发光研究
DOI：
10.1063/1.363474
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发表时间：
1996-11
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
沈文忠
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
沈文忠
Photoluminescence measurements have been performed on a In0.82Ga0.18As/In0.52Al0.48As strained double quantum wells with narrow well widths of 38 and 48 A. The band offset ratio Qc in this narrow quantum well structures was found to be 0.70±0.01. Based on
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K. Fujiwara;N. Tsukada;T. Nakayama
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