Acid Generation Mechanism of Poly (4-hydroxystyrene) -Based Chemically Amplified Resists for Post-Optical Lithography : Acid Yield and Deprotonation Behavior of Poly (4-hydroxystyrene) and Poly (4-methoxystyrene)
Acid Generation Mechanism of Poly (4-hydroxystyrene) -Based Chemically Amplified Resists for Post-Optical Lithography : Acid Yield and Deprotonation Behavior of Poly (4-hydroxystyrene) and Poly (4-methoxystyrene)
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用于后光学光刻的聚（4-羟基苯乙烯）基化学放大抗蚀剂的酸生成机制：聚（4-羟基苯乙烯）和聚（4-甲氧基苯乙烯）的酸产率和去质子化行为
DOI：
--
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Shimokawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Nakano;T. Kozawa;K. Okamoto;S. Tagawa;T. Kai;T. Shimokawa
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