Epitaxial growth of well-ordered ultra-thin Al2O3 film on NiAl(110) by a single-step oxidation

Epitaxial growth of well-ordered ultra-thin Al2O3 film on NiAl(110) by a single-step oxidation
复制标题

NiAl(110)上单步氧化外延生长有序超薄Al2O3薄膜

DOI:
--
复制
发表时间:
2005
期刊:
Appl.Surf.Sci., 239
影响因子:
--
通讯作者:
T.T.Lay,M.Yoshitake and W.Song
T.T.Lay,M.Yoshitake and W.Song
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Zhaoyang Wang;Hiroyasu Sone;Yasuhide Tsuji;Masaaki Imai;Shinya Sato;T.T.Lay,M.Yoshitake and W.Song

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

通过低能电子衍射和俄歇电子能谱研究 Cu-9%Al(111) 上的氧吸附。
DOI: 10.1116/1.1560719
发表时间: 2003
期刊: Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子: --
作者:
M. Yoshitake;S. Bera;Y. Yamauchi;Weijie Song
通讯作者: Weijie Song
表面磨削对NiAl和Al2O3/NiAl复合材料强度的影响
DOI: 10.1016/s0254-0584(99)00060-7
发表时间: 1999
影响因子: 4.6
作者:
S. T. Chang;W. Tuan;H. You;I. Lin
通讯作者: I. Lin
NiAl(110) 上有序 Al2O3 薄膜的透射电子显微镜研究
DOI: 10.1016/s0039-6028(97)00150-7
发表时间: 1997
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
M. Klimenkov;S. Nepijko;H. Kuhlenbeck;H. Freund
通讯作者: H. Freund
1:1 电子步进机
DOI: 10.1116/1.584549
发表时间: 1989
影响因子: 1.4
作者:
A. Delong;V. Kolarik
通讯作者: V. Kolarik
DOI: 10.1116/1.586877
发表时间: 1993-03-01
影响因子: 1.4
作者:
YOKOO, K;TANAKA, H;ONO, S
通讯作者: ONO, S