Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy
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氢化物气相外延生长的半绝缘 Fe 掺杂 GaN 薄膜中的表面声波
DOI：
10.1063/1.4893156
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发表时间：
2014-08
影响因子：
4
通讯作者：
Xu, Ke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huang, Zengli;Zhang, Yumin;Wang, Jianfeng;Xu, Ke
研究了用氢化物气相外延法在蓝宝石衬底上生长的掺铁半绝缘GaN薄膜中声表面波的传播特性。与原生n型GaN相比，Fe掺杂GaN由于其高电阻率而表现出更高的机电耦合系数。此外，实验上还观察到了具有很高相速度（约7890 m/s）的导波纵向漏声表面波（LLSAW），并通过数值模拟验证了该模式的正确性。在甘油溶液中，LLSAW沿着液/固界面的传播衰减很小，这意味着在高频化学传感中的潜在应用。
The propagation properties of surface acoustic waves (SAWs) in semi-insulating Fe-doped GaN films grown on sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy are investigated. Compared with native n-type GaN, Fe-doped GaN exhibits a higher electromechanical coupling coefficient due to its high electrical resistivity. In addition, guided longitudinal leaky surface acoustic wave (LLSAW) was observed experimentally with a very high phase velocity (about 7890 m/s), and this mode was verified by numerical simulations. The small propagation attenuation of LLSAW along liquid/solid interfaces was demonstrated in glycerol solutions, which implies the potential applications in high-frequency chemical sensing.
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影响因子：
4
作者：
Lei Shao;Meng Zhang;A. Banerjee;P. Bhattacharya;K. Pipe
通讯作者：
Lei Shao;Meng Zhang;A. Banerjee;P. Bhattacharya;K. Pipe
影响因子：
3.2
作者：
D. Dumcenco;S. Levcenco;Ying-Sheng Huang;C. Reynolds;J. Reynolds;K. Tiong;T. Paskova;K. Evans
通讯作者：
D. Dumcenco;S. Levcenco;Ying-Sheng Huang;C. Reynolds;J. Reynolds;K. Tiong;T. Paskova;K. Evans
影响因子：
4.6
作者：
X. Tong;D. Zhang
通讯作者：
X. Tong;D. Zhang
DOI：
10.1016/j.sse.2010.03.011
发表时间：
2005-12
期刊：
2005 International Semiconductor Device Research Symposium
影响因子：
--
作者：
X. Xu;R. Woods
通讯作者：
X. Xu;R. Woods
影响因子：
2.7
作者：
K. Choi;Hyeong Joon;Su-jin Chung;Jin Yong Kim;Tae-Kun Lee;Y. J. Kim
通讯作者：
K. Choi;Hyeong Joon;Su-jin Chung;Jin Yong Kim;Tae-Kun Lee;Y. J. Kim