Design and Analysis of On-chip Leakage Monitor using an MTCMOS circuit
Design and Analysis of On-chip Leakage Monitor using an MTCMOS circuit
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采用 MTCMOS 电路的片上漏电监测器的设计与分析
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K.Usami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Koyama;S.Takeda;and K.Usami
使用 L1 恢复缓存减少超标量处理器误预测延迟的恢复方案
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
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影响因子：
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作者：
Jiongyao Ye;W. Takahiro
通讯作者：
W. Takahiro
具有可变阈值电压方案的 0.9V 150MHz 10mW 4mm^2 2-D 离散余弦变换核心处理器
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
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影响因子：
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作者：
Tadahiro Kuroda;Tetsuya Fujita;S. Mita;Shinichi Yoshioka;Kojiro Suzuki;Masakazu Kakumu;Takayasu Sakurai
通讯作者：
Takayasu Sakurai
用于容变 VLSI 系统的自校准电路设计
DOI：
10.1109/iolts.2005.63
发表时间：
2005
期刊：
11th IEEE International On-Line Testing Symposium
影响因子：
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作者：
C. Kim;S. Hsu;R. Krishnamurthy;S. Borkar;K. Roy
通讯作者：
K. Roy