Fully CMOS-Compatible Fabrication Process of Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors
Fully CMOS-Compatible Fabrication Process of Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron Transistors
复制标题
完全 CMOS 兼容的室温工作硅单电子晶体管制造工艺
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryota Suzuki;Motoki Nozue;Takuya Saraya;and Toshiro Hiramoto
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混合 SET-FET 电路的 CMOS 兼容制造
影响因子：
1.9
作者：
A. del Moral;E. Amat;H. Engelmann;M. Pourteau;G. Rademaker;D. Quirion;N. Torres;M. Rommel;K. Heinig;J. von Borany;R. Tiron;J. Bausells;F. Pérez
通讯作者：
F. Pérez
SiO_2 中 Si 自扩散的建模 Si/SiO_2 界面的效应（包括随时间变化的扩散率）
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl. Phys. Lett. 84-6
影响因子：
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作者：
M.Uematsu;A.Fujiwara;H.Kageshima;Y.Takahashi;S.Fukatsu;K.M.Itoh;K.Shiraishi;U.Gosele
通讯作者：
U.Gosele
低温微波等离子体氧化形成的具有超薄界面层的高 K 金属栅堆叠
影响因子：
2.3
作者：
M. Czernohorsky;K. Seidel;K. Kuhnel;J. Niess;N. Sacher;W. Kegel;W. Lerch
通讯作者：
W. Lerch
沉淀物粗化的计算机模拟：扩散和反应控制奥斯特瓦尔德熟化的统一处理
影响因子：
1
作者：
M. Strobel;S. Reiss;K. Heinig;W. Möller
通讯作者：
W. Möller
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
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影响因子：
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作者：
Anil Kumar;Dharmender Dubey
通讯作者：
Dharmender Dubey