Modeling of Si Self-Diffusion in SiO_2 Effect of the Si/SiO_2 Interface Including Time-Dependent Diffusivity
Modeling of Si Self-Diffusion in SiO_2 Effect of the Si/SiO_2 Interface Including Time-Dependent Diffusivity
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SiO_2 中 Si 自扩散的建模 Si/SiO_2 界面的效应（包括随时间变化的扩散率）
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
U.Gosele
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Uematsu;A.Fujiwara;H.Kageshima;Y.Takahashi;S.Fukatsu;K.M.Itoh;K.Shiraishi;U.Gosele
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平衡条件下热生长 SiO2 中 Si 的自扩散
影响因子：
3.2
作者：
Tomonori Takahashi;S. Fukatsu;K. Itoh;M. Uematsu;A. Fujiwara;H. Kageshima;Yasuo Takahashi;K. Shiraishi
通讯作者：
K. Shiraishi
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影响因子：
4
作者：
T. Tan;U. Gösele
通讯作者：
U. Gösele
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3.1
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通讯作者：
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影响因子：
3.2
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通讯作者：
D. Tsoukalas
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DOI：
10.1557/proc-716-b1.13
发表时间：
2002
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
R. Jaccodine
通讯作者：
R. Jaccodine