Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates
Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates
复制标题
使用 GaAs 起始衬底通过氢化物气相外延制备 Fe 掺杂半绝缘 GaN 衬底
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Koukitu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.Kumagai;F.Satoh;R.Togashi;H.Murakami;K.Takemoto;J.Iihara;K.Yamaguchi;A.Koukitu
用于制备半绝缘 GaN 衬底的掺铁厚 GaN 层的生长
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;K. Takemoto;H. Murakami;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
影响因子：
4
作者：
Moore, WJ;Freitas, JA;Song, IJ
通讯作者：
Song, IJ
通过金属有机氯化氢气相外延研究 GaAs (111)A 和 (111)B 表面上 GaN 生长的衬底取向依赖性。
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;A. Koukitu;H. Seki
通讯作者：
H. Seki