Inhomogeneous broadening in Al-rich AlGaN/AlN single quantum wells
Inhomogeneous broadening in Al-rich AlGaN/AlN single quantum wells
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富铝 AlGaN/AlN 单量子阱的不均匀展宽
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.G.Banal;M.Funato;Y.Kawakami
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影响因子：
4.9
作者：
Messina, Gabriele;Burgassi, Sandra;Cevenini, Gabriele
通讯作者：
Cevenini, Gabriele
影响因子：
1.5
作者：
T. Badcock;S. Hammersley;D. Watson‐Parris;P. Dawson;M. J. Godfrey;M. Kappers;C. McAleese;R. Oliver;C. Humphreys
通讯作者：
T. Badcock;S. Hammersley;D. Watson‐Parris;P. Dawson;M. J. Godfrey;M. Kappers;C. McAleese;R. Oliver;C. Humphreys
AlGaN 量子阱中的光致发光效率
影响因子：
2.8
作者：
G. Tamulaitis;J. Mickevičius;J. Jurkevičius;M. Shur;M. Shatalov;J. Yang;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska
影响因子：
9.8
作者：
Lui, Gough Yumu;Roser, David;Stuetz, Richard
通讯作者：
Stuetz, Richard
(0001) AlGaN 深紫外发光二极管结构的辐射和俄歇复合常数以及内量子效率
DOI：
10.1002/pssa.201900878
发表时间：
2019
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
M. Rudinsky;S. Karpov
通讯作者：
S. Karpov