Tensile strain-induced magnetism transition in multilayer graphene with excess electrons: Stability of the edge-quantum well
Tensile strain-induced magnetism transition in multilayer graphene with excess electrons: Stability of the edge-quantum well
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具有过量电子的多层石墨烯中拉伸应变诱导的磁转变：边缘量子阱的稳定性
DOI：
10.1063/1.4937434
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发表时间：
2015-12
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Dongfeng Diao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lei Yang;Dongfeng Diao
The stability of edge-quantum well-induced strong magnetism of multilayer armchair graphene nanoribbon (AGNR) with excess electrons was investigated under applied tensile strain by density functional theory (DFT) calculations. The results indicated that:
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