Radical nitridation of Al films for the barrier formation in ferromagnetic tunnel junctions
Radical nitridation of Al films for the barrier formation in ferromagnetic tunnel junctions
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用于铁磁隧道结势垒形成的铝膜的自由基氮化
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Migaku Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masakiyo Tsunoda;Toshihiro Shoyama;Satoru Yoshimura;Migaku Takahashi
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影响因子：
4
作者：
M. Tsunoda;K. Nishikawa;S. Ogata;M. Takahashi
通讯作者：
M. Tsunoda;K. Nishikawa;S. Ogata;M. Takahashi
具有 AlN 和 AlON 势垒的自旋相关隧道结
影响因子：
4
作者：
M. Sharma;J. Nickel;T. C. Anthony;Shan X. Wang
通讯作者：
Shan X. Wang
具有 AlN 屏障和 FeTaN 电极的隧道结
影响因子：
3.2
作者：
Jianguo Wang;S. Cardoso;P. Freitas;P. Wei;N. Barradas;J. Soares
通讯作者：
J. Soares
Co-Fe/Al-N/Co-Fe隧道函数中微波激发等离子体和大磁阻对Al层的氮化过程
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS 40
影响因子：
--
作者：
O.Hanaizumi;K.Ono;Y.Ogawa;T.Koga;Y.Hasegawa;A.Ogihara;G.Saito;Satoru Yoshimura et al.
通讯作者：
Satoru Yoshimura et al.
具有 AlN 和 AlNxOy 势垒的磁性隧道结
影响因子：
3.2
作者：
M. Schwickert;J. Childress;R. Fontana;A. Kellock;P. Rice;M. Ho;T. Thompson;B. Gurney
通讯作者：
B. Gurney