Structural and electrical properties of Zr oxide film for high-k gate dielectrics by using electron cyclotron resonance plasma sputtering
Structural and electrical properties of Zr oxide film for high-k gate dielectrics by using electron cyclotron resonance plasma sputtering
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电子回旋共振等离子体溅射高k栅介质用氧化锆薄膜的结构和电学性能
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J.Wang;L.Zhao;N.H.Luu;D.Wang;H.Nakashima
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--
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