Control of Dynamic Properties of InAs/InAlGaAs/InP Hybrid Quantum Well‐Quantum Dot Structures Designed as Active Parts of 1.55 μm Emitting Lasers
Control of Dynamic Properties of InAs/InAlGaAs/InP Hybrid Quantum Well‐Quantum Dot Structures Designed as Active Parts of 1.55 μm Emitting Lasers
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InAs/InAlGaAs/InP 混合量子阱动态特性的控制——设计为 1 55μm 发射激光器活性部分的量子点结构
DOI：
10.1002/pssa.201700455
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Sęk
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. Rudno-Rudziński;M. Syperek;A. Maryński;J. Andrzejewski;J. Misiewicz;S. Bauer;V. Sichkovskyi;J.P. Reithmaier;M. Schowalter;B. Gerken;A. Rosenauer;G. Sęk
研究了分子束外延生长的结构，由InGaAlAs势垒和InAs量子点组成，InGaAlAs量子点发射波长为1.55 μm，生长在InP衬底上。为了控制QW和QD器件之间的耦合，改变势垒的厚度，从而控制波函数的重叠。该参数的调节允许研究量子点中态的能量结构及其波函数的影响，从光响应只是两个孤立元素的响应之和的非耦合系统，转变为表现出混合2D-0D特性的强量子力学耦合系统。在8波段k · p模拟的支持下，由光反射和光致发光光谱结果得出的能量结构的变化解释了不同势垒厚度样品之间光致发光衰减时间的测量差异。
The molecular beam epitaxy grown structures are investigated, comprising of InGaAs quantum wells (QW) separated by a thin InGaAlAs barrier from InAs quantum dots (QDs), emitting at 1.55 μm, grown on an InP substrate. To control the coupling between QW and QD parts the thickness of the barrier is changed, which commands the wave function overlap. The tuning of that parameter allows for the study of the influence of the QW potential on the energy structure of states and their wave functions in QDs, changing from an uncoupled system, where the optical response is just a sum of responses from two isolated elements, to a strongly quantum mechanically coupled system, exhibiting mixed 2D‐0D characteristics. The changes of the energy structure that are deduced from the photoreflectance and photoluminescence spectroscopy results, supported by 8‐band k · p modeling, explain the measured differences in the photoluminescence decay times between samples with different barrier thicknesses.
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