Tunneling anisotropic magnetoresistance in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with different barriers
Tunneling anisotropic magnetoresistance in fully epitaxial magnetic tunnel junctions with different barriers
复制标题
具有不同势垒的全外延磁隧道结中隧道各向异性磁阻
DOI：
10.1063/1.5027909
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发表时间：
2018-06
影响因子：
4
通讯作者：
Lu Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tao B. S.;Tao B. S.;Jiang L. N.;Kong W. J.;Chen W. Z.;Yang B. S.;Wang X.;Wan C. H.;Wei H. X.;Han X. F.;Tao B. S.;Hehn M.;Lacour D.;Lu Y.;Han XF;Lu Y
本文报道了Fe/势垒层/Fe（001）磁隧道结（MTJ）的隧穿各向异性磁电阻（TAMR）特性，其中势垒层为退火MgO、MgAlOx、MgO-MgAlOx和生长态MgO/MgAlOx。测量TAMR作为磁化强度
We report the tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR) in fully epitaxial Fe/Barrier/Fe (001) magnetic tunnel junctions (MTJs) where the Barrier is annealed MgO, MgAlOx, MgO-MgAlOx, or as-grown MgO/MgAlOx. The TAMR was measured as the magnetization
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影响因子：
3.7
作者：
V. Drewello;J. Schmalhorst;Andy Thomas;G. Reiss
通讯作者：
V. Drewello;J. Schmalhorst;Andy Thomas;G. Reiss
影响因子：
3.7
作者：
Y. Lu;H. Yang;C. Tiușan;M. Hehn;M. Chshiev;C. Bellouard;B. Kierren;G. Lengaigne;A. Duluard;D. Lacour;F. Montaigne
通讯作者：
Y. Lu;H. Yang;C. Tiușan;M. Hehn;M. Chshiev;C. Bellouard;B. Kierren;G. Lengaigne;A. Duluard;D. Lacour;F. Montaigne
DOI：
10.1016/j.elspec.2012.04.002
发表时间：
2012-08
影响因子：
1.9
作者：
D. Telesca;B. Sinković;See-Hun Yang;S. Parkin
通讯作者：
D. Telesca;B. Sinković;See-Hun Yang;S. Parkin
影响因子：
4
作者：
J. Zhang;Xiaoguang Zhang;Xiufeng Han
通讯作者：
J. Zhang;Xiaoguang Zhang;Xiufeng Han
影响因子：
8.6
作者：
Giddings, AD;Khalid, MN;Foxon, CT
通讯作者：
Foxon, CT