Electron beam doping of impurity atoms into semiconductors by kick-out mechanism
Electron beam doping of impurity atoms into semiconductors by kick-out mechanism
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通过踢出机制将杂质原子电子束掺杂到半导体中
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Fujimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takao Wada;Hiroshi Fujimoto
室温下半导体电子束掺杂（超扩散）技术
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Defect and Diffusion Forum Vols.221-223
影响因子：
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作者：
Takao Wada;Hiroshi Fujimoto
通讯作者：
Hiroshi Fujimoto
Si 电子束掺杂到 GaAs 中：光致发光的退火行为
DOI：
10.1016/0168-583x(89)90201-2
发表时间：
1989
影响因子：
1.3
作者：
T. Wada;A. Takeda
通讯作者：
A. Takeda
通过踢出机制（间隙和直接间隙机制）在半导体无损区域进行电子束掺杂
影响因子：
1.5
作者：
T. Wada;H. Fujimoto
通讯作者：
H. Fujimoto