Investigation of the properties and formation process of a peculiar V-pit in HVPE-grown GaN film
Investigation of the properties and formation process of a peculiar V-pit in HVPE-grown GaN film
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HVPE 生长 GaN 薄膜中特殊 V 坑的性质和形成过程的研究
DOI：
10.1016/j.matlet.2017.03.170
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发表时间：
2017-07
影响因子：
3
通讯作者：
Xu Ke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Min;Cai Demin;Zhang Yumin;Su Xujun;Zhou Taofei;Cui Miao;Li Chao;Wang Jianfeng;Xu Ke
GaN薄膜经热H3 PO 4刻蚀后，表面出现倒金字塔形的凹凸V型凹坑。在阴极射线发光图像中观察到不同于V-凹坑形态的规则结构。V型坑内载流子浓度和应力分布不均匀。此外，在V型凹坑的面或底部区域中没有观察到占优势的位错或缺陷。岛状晶面在不同生长速度下从{1 01 m}向{1 12 m}呈凹形变化，岛状晶面的聚并过程是形成V型坑的主要原因。
Hexagonal V-pits with an inverted pyramid shape appear on the surface of a GaN film after etching by hot H3PO4. A regular structure that is different from the V-pit morphology is observed in the cathodoluminescence image. The carrier concentration and stress distributions are nonuniform inside the V-pit. Furthermore, no dominant dislocations or defects are observed in the facets or bottom area of the V-pits. An island coalescence process is considered to contribute to the formation of such V-pits, with the coalesced island facets changing from {1 01m} to {1 12m} at a concave state for the different growth velocities.
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