Revealing the surface electronic structures of AlGaN deep-ultraviolet multiple quantum wells with lateral polarity domains
Revealing the surface electronic structures of AlGaN deep-ultraviolet multiple quantum wells with lateral polarity domains
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揭示具有横向极性域的 AlGaN 深紫外多量子阱的表面电子结构
DOI：
10.1364/prj.387700
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发表时间：
2020-05
影响因子：
7.6
通讯作者：
Ye Jichun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo Wei;Chen Li;Xu Houqiang;Qian Yingda;Sheikhi Moheb;Hoo Jason;Gu Shiping;Xu Liang;Liu Jianzhe;Alqatari Feras;Li Xiaohang;He Kaiyan;Feng Zhe Chuan;Ye Jichun
报道了AlGaN基深紫外多量子威尔斯（MQW）横向极性畴的载流子动力学和电子结构研究。第一性原理计算预测了局域化的最大电势，表明载流子局域化和有效的辐射复合。更重要的是，提出了基于电子亲合势和价带水平从紫外（UV）光电子能谱计算的多量子阱的横向能带图。通过Kelvin探针显微镜采集的表面电位分布和能带态密度计算，进一步证实了所提出的侧向能带图。这项工作表明，横向极性结构在III族氮化物光子器件的电子特性中起着至关重要的作用，并可能为实现高效UV发射器提供新的视角。
We report on the carrier dynamic and electronic structure investigations on AlGaN-based deep-ultraviolet multiple quantum wells (MQWs) with lateral polarity domains. The localized potential maximum is predicted near the domain boundaries by first-principle calculation, suggesting carrier localization and efficient radiative recombination. More importantly, lateral band diagrams of the MQWs are proposed based on electron affinities and valance band levels calculated from ultraviolet (UV) photoelectron spectroscopy. The proposed lateral band diagram is further demonstrated by surface potential distribution collected by Kelvin probe microscopy and the density-of-state calculation of energy bands. This work illustrates that lateral polarity structures are playing essential roles in the electronic properties of III-nitride photonic devices and may provide novel perspective in the realization of high-efficiency UV emitters.
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影响因子：
4
作者：
V. Fiorentini
通讯作者：
V. Fiorentini
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P. Schuck;Michael D. Mason;R. Grober;O. Ambacher;A. P. Lima;C. Miskys;R. Dimitrov;M. Stutzmann
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P. Schuck;Michael D. Mason;R. Grober;O. Ambacher;A. P. Lima;C. Miskys;R. Dimitrov;M. Stutzmann
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作者：
F. Lançon;L. Genovese;J. Eymery
通讯作者：
F. Lançon;L. Genovese;J. Eymery
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9.5
作者：
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通讯作者：
Chen Changqing
DOI：
10.1002/pssa.201431740
发表时间：
2015-05
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
M. Hoffmann;R. Kirste;S. Mita;W. Guo;J. Tweedie;M. Bobea;I. Bryan;Z. Bryan;M. Gerhold;R. Collazo;Z. Sitar
通讯作者：
M. Hoffmann;R. Kirste;S. Mita;W. Guo;J. Tweedie;M. Bobea;I. Bryan;Z. Bryan;M. Gerhold;R. Collazo;Z. Sitar