Impact of key circuit parameters on signal-to-noise ratio characteristics for the radio-frequency single electron transistors
Impact of key circuit parameters on signal-to-noise ratio characteristics for the radio-frequency single electron transistors
复制标题
关键电路参数对射频单电子晶体管信噪比特性的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Manoharan;S. Oda;et al.
登录
查看更多内容
模拟电子伴侣：工程师和科学家的基本电路设计
影响因子：
3.5
作者：
L. Rubin
通讯作者：
L. Rubin
一种用于少电子电路仿真的准解析SET模型
影响因子：
4.9
作者：
S. Mahapatra;A. Ionescu;K. Banerjee
通讯作者：
K. Banerjee
用于 X 射线至亚毫米波长超导天文探测器的射频单电子晶体管读出放大器
影响因子：
1.8
作者：
T. Stevenson;A. Aassime;P. Delsing;R. Schoelkopf;K. Segall;C. Stahle
通讯作者：
C. Stahle
作为射频混频器的单电子晶体管
影响因子：
4
作者：
R. Knobel;C. Yung;A. Cleland
通讯作者：
A. Cleland
用于设计和分析实际 SET 电路的分析单电子晶体管 (SET) 模型
影响因子：
1.5
作者：
K. Uchida;K. Matsuzawa;J. Koga;R. Ohba;S. Takagi;A. Toriumi
通讯作者：
A. Toriumi