Low-Loss MMICs Viable Transmission Media for GaN-on-Low Resistivity Silicon Technology
Low-Loss MMICs Viable Transmission Media for GaN-on-Low Resistivity Silicon Technology
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低损耗 MMIC 适用于低电阻率硅技术的 GaN 的可行传输介质
DOI：
10.1109/lmwc.2016.2629964
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发表时间：
2017
影响因子：
3
通讯作者：
Eblabla A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Eblabla A
在这项工作中，一种新的超低损耗传输介质的RF GaN-低电阻率硅（LR-Si）衬底（σ <; 40 Ω.cm）已成功地证明。开发的屏蔽微带线实现可比的性能，半绝缘（SI）GaAs基板上的传输损耗为0.9 dB/mm的频率高达67 GHz。通过在屏蔽金属化接地层上的5 μm苯并环丁烯（BCB）层上方使用空气桥技术，进一步提升屏蔽微带线的高度，进一步提高了线路性能。传输损耗为0.6 dB/mm的频率高达67 GHz的获得作为额外的海拔的结果。基于电磁仿真对结构参数进行设计和优化，以获得最佳性能。这项工作表明，耦合到衬底中的RF能量被消除，表明III-V-on-LR Si技术适用于毫米波应用。
In this work a novel ultra-low loss transmission media for RF GaN-on-low-resistivity silicon (LR-Si) substrates (σ <; 40 Ω.cm) has been successfully demonstrated. The developed shielded-microstrip lines achieve comparable performance to those on semi-insulating (SI) GaAs substrates with transmission loss of 0.9 dB/mm for frequencies up to 67 GHz. Line performance was further enhanced by additional elevation of the shielded-microstrip lines using air-bridge technology above a 5 μm layer of benzocyclobutene (BCB) on shielded metalized ground planes. Transmission loss of 0.6 dB/mm for frequencies up to 67 GHz was obtained as a result of the extra elevation. Structure parameters were designed and optimized based on EM simulation for best performance. The work shows that the RF energy coupled into the substrate was eliminated, indicating the suitability of III-V-on-LR Si technology for millimeter-wave applications.
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