Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy
Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy
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固态分子束外延生长的 InGaAsP 太阳能电池的研究
DOI：
10.1016/j.solmat.2015.01.031
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发表时间：
2015-06
影响因子：
6.9
通讯作者：
Hui Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Atsushi Tackeuchi;Lifeng Bian;Shulong Lu;Hui Yang
本文报道了用固态分子束外延技术在InP衬底上生长InGaAsP太阳电池的研究。研究了生长温度对器件性能的影响。在AM1.5标准光照下，高温生长的In 0.78Ga 0.22As 0.48P 0.52单结太阳电池的转换效率为18.8%.时间分辨光致发光（PL）结果表明，在较高的生长温度下，In_（0.78）Ga_（0.22）As_（0.48）P_（0.52）的光学质量得到了很大的改善。与In0.78Ga0.22As0.48P0.52/In0.52Al0.48As相比，In0.78Ga0.22As0.48P0.52/InP的PL衰减时间更长，这表明InP更有希望作为未来太阳能电池性能改进的背表面场。
We report on the study of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy (MBE) on InP. The effect of growth temperature on device performance is investigated. Under standard one-sun air-mass 1.5 global (AM1.5) illumination, an efficiency of 18.8% has been obtained for In0.78Ga0.22As0.48P0.52single-junction solar cells grown at high temperature. Time-resolved photoluminescence (PL) results demonstrate that the In0.78Ga0.22As0.48P0.52optical quality is greatly improved in the case of a high growth temperature. A longer PL decay time of In0.78Ga0.22As0.48P0.52/InP in contrast to In0.78Ga0.22As0.48P0.52/In0.52Al0.48As indicates that InP is more promising as the back surface field for future solar cell performance improvements.
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