Effect of growth temperature on the properties of Ga(In)NAs thin films by atomic gydrogen-assisted RF-MBE
Effect of growth temperature on the properties of Ga(In)NAs thin films by atomic gydrogen-assisted RF-MBE
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原子氢辅助 RF-MBE 生长温度对 Ga(In)NAs 薄膜性能的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshitaka Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukiko Shimizu;Naoya Miyashita;Yusuke Mura;Akira Uedono;Yoshitaka Okada
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用于多结太阳能电池应用的 GaInNAs 稀氮化物生长的优化
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Proceedings of 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
影响因子：
--
作者：
Yukiko Shimizu;Naoya Miyashita;Yusuke Mura;Akira Uedono;Yoshitaka Okada
通讯作者：
Yoshitaka Okada
稀氮化物半导体中电子迁移率的内在限制
影响因子：
4
作者：
S. Fahy;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
通过原子氢辅助 RF-MBE 生长 GaInNA
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)02331-x
发表时间：
2002
期刊：
International Conference on Molecular Bean Epitaxy
影响因子：
--
作者：
A. Ohmae;N. Matsumoto;Y. Okada
通讯作者：
Y. Okada
InGaAsN 中成分波动的近场磁光致发光光谱。
影响因子：
8.6
作者：
A. Mintairov;T. Kosel;J. Merz;P. A. Blagnov;A. Vlasov;V. Ustinov;R. Cook
通讯作者：
R. Cook
单能正电子束探测离子注入金刚石中的空位型缺陷
影响因子：
1.5
作者：
A. Uedono;T. Kawano;S. Tanigawa;R. Suzuki;T. Ohdaira;T. Mikado;S. Fujii;S. Shikata
通讯作者：
S. Shikata