Reducing DRAM Access Latency via Helper Rows
Reducing DRAM Access Latency via Helper Rows
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通过辅助行减少 DRAM 访问延迟
DOI：
10.1109/dac18072.2020.9218719
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yang, Jun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xin, Xin;Zhang, Youtao;Yang, Jun
Half-DRAM：来自细粒度激活重新思考的高带宽、低功耗DRAM架构
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
International Symposium on Computer Architecture
影响因子：
--
作者：
Zhang Tao;Ke Chen;Cong Xu;Guangyu Sun;Tao Wang;Yuan Xie
通讯作者：
Yuan Xie
通过电荷水平感知先行部分恢复减少 DRAM 延迟
DOI：
10.1109/micro.2018.00032
发表时间：
2018
期刊：
2018 51st Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture (MICRO)
影响因子：
--
作者：
Yaohua Wang;Arash Tavakkol;Lois Orosa;Saugata Ghose;Nika Mansouri;Minesh Patel;Jeremie S. Kim;Hasan Hassan;Mohammad Sadrosadati;O. Mutlu
通讯作者：
O. Mutlu
DOI：
10.1109/hpca.2016.7446093
发表时间：
2016-03
期刊：
2016 IEEE International Symposium on High Performance Computer Architecture (HPCA)
影响因子：
--
作者：
Xianwei Zhang;Youtao Zhang;B. Childers;Jun Yang
通讯作者：
Xianwei Zhang;Youtao Zhang;B. Childers;Jun Yang