A critical review of theory and progress in Ohmic contacts to p-type SiC

A critical review of theory and progress in Ohmic contacts to p-type SiC
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p 型 SiC 欧姆接触理论和进展的批判性回顾

DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2019.125353
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发表时间:
2020-02
影响因子:
1.8
通讯作者:
Xiaogang Gu(谷晓钢)
Xiaogang Gu(谷晓钢)
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
Lingqin Huang (黄玲琴);Mali Xia (夏马力);Xiaogang Gu(谷晓钢)

文献摘要

参考文献

被引文献

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