Behavior of Local Current Leadage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy
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导电原子力显微镜分析应力栅SiO_2薄膜局部电流领先行为
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Yasuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Seko;Y.Watanabe;H.Kondo;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
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应力SiO_2栅膜局部电学特性的导电原子力显微镜分析
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 43(4B)
影响因子：
--
作者：
Y.Watanabe;A.Seko;H.Kondo;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
通讯作者：
Y.Yasuda
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通讯作者：
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发表时间：
2004
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Japanese Journal of Applied Physics 43(7B)
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2001
期刊：
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作者：
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通讯作者：
Y.Yasuda