Local electrical characteristics of ultra-thin SiO_2 films formed on Si(100) surfaces

Local electrical characteristics of ultra-thin SiO_2 films formed on Si(100) surfaces
复制标题

Si(100)表面超薄SiO_2薄膜的局部电学特性

DOI:
--
复制
发表时间:
2001
期刊:
Surface Science 493
影响因子:
--
通讯作者:
Y.Yasuda
Y.Yasuda
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
H.Ikeda;N.Kurumado;K.Ohmori;M.Sakashita;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

DOI: 10.1016/s0039-6028(99)01023-7
发表时间: 1999
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
R. Hasunuma;Y. Nishioka;A. Ando;K. Miki
通讯作者: K. Miki
超薄(<2 nm)栅极氧化物介电击穿的定义
DOI: 10.1016/s0038-1101(96)00111-6
发表时间: 1997
影响因子: 1.7
作者:
M. Depas;T. Nigam;M. Heyns
通讯作者: M. Heyns
DOI: 10.1063/1.116026
发表时间: 1996
影响因子: 4
作者:
T. Brożek;C. Viswanathan
通讯作者: C. Viswanathan
应力引起的氧化物泄漏
DOI: 10.1109/55.119221
发表时间: 1991
影响因子: 4.9
作者:
R. Rofan;C. Hu
通讯作者: C. Hu
通过扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱研究电子注入导致超薄 SiO2 薄膜中陷阱的产生
DOI: 10.1016/s0169-4332(00)00222-1
发表时间: 2000
影响因子: 6.7
作者:
K. Ohmori;S. Zaima;Y. Yasuda
通讯作者: Y. Yasuda