Comparison of Two Simulation Methods in Electron Crystallography: BW Method and a Modified Direct Product Method of Scattering Matrix
Comparison of Two Simulation Methods in Electron Crystallography: BW Method and a Modified Direct Product Method of Scattering Matrix
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电子晶体学中两种模拟方法的比较：BW 方法和改进的散射矩阵直积法
DOI：
10.1016/j.jmst.2016.09.014
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发表时间：
2017-02
影响因子：
10.9
通讯作者：
Qibin Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yi Yang;Canying Cai;Qibin Yang
本文提出了一种改进的散射矩阵直积法（DPSM），并推导出计算公式：∑ n（z）=∑ n1 n！（Mz）n <$（0）和<$（z+ ε j）=∑ n1n！（M ε j）n <$（z），其中M是散射矩阵，用Bethe势法可以大大降低其维数，从而在不损失精度的情况下大大提高计算速度。用DPSM方法计算的结果与用BW方法计算的结果几乎完全一致。然而，改进的DPSM方法的计算速度比BW方法快约3倍。此外，DPSM适合于计算所有类型的矩阵，而不需要对称或共轭对称。
In this paper, a modified direct product method of scattering matrix (DPSM) was presented and the calculation formula was derived as follows: ϕ (z)=∑ n 1 n!(M z) n ϕ (0) and ϕ (z+ ε j)=∑ n 1 n!(M ε j) n ϕ (z), where M is the scattering matrix of which the dimension can be reduced by ‘Bethe potential method’drastically and therefore the calculation speed can be increased tremendously without losing accuracy very much. The results calculated with the DPSM method are in almost exact agreement with those calculated with BW method. However, the calculation speed for the modified DPSM method is approximately three times faster than that for the BW method. Furthermore, the DPSM is suitable for computing all types of matrices without requiring symmetry or conjugate symmetry.
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DOI：
10.1088/0370-1328/80/2/301
发表时间：
1962-08
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
L. Sturkey
通讯作者：
L. Sturkey
影响因子：
8.6
作者：
Zuo;Spence;Hoier
通讯作者：
Zuo;Spence;Hoier
DOI：
10.1107/s010876739201095x
发表时间：
1993-05
期刊：
Acta Crystallographica Section A
影响因子：
--
作者：
J. Zuo
通讯作者：
J. Zuo
DOI：
10.1107/s010876739700874x
发表时间：
1998
期刊：
Acta Crystallographica Section A
影响因子：
--
作者：
J. Spence
通讯作者：
J. Spence
影响因子：
2
作者：
D. Dyck
通讯作者：
D. Dyck