Impact of ammonia on the electrical properties of p-type Si nanowire arrays
Impact of ammonia on the electrical properties of p-type Si nanowire arrays
复制标题
氨对p型硅纳米线阵列电性能的影响
DOI：
10.1063/1.4827184
复制
发表时间：
2013-11
影响因子：
3.2
通讯作者：
Qiming Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chunlai Xue;Yuhua Zuo;Buwen Cheng;Qiming Wang
研究了垂直直立p型硅纳米线阵列在氨气气氛中的电学性质。结果表明，氨的引入降低了它们的电导率。通过研究氨在纳米线（NW）表面上的吸附和解吸过程，解释了Si NWA的电流调制在NW边缘的能带弯曲方面，由于从氨注入负载流子。
The electrical properties of vertically upstanding p-type silicon nanowires arrays in the ambience of NH3 are studied. It is found that, the introducing of ammonia lowers their conductivity. By investigating the absorption and desorption processes of ammonia on nanowires (NW) surfaces, the current modulations of Si NWAs are interpreted in terms of band bending at the NW edge due to injections of negative carriers from ammonia.
登录
查看更多内容
影响因子：
10.8
作者：
Qu Y;Liao L;Li Y;Zhang H;Huang Y;Duan X
通讯作者：
Duan X
影响因子：
10.8
作者：
Nolan, Michael;O'Callaghan, Sean;Frauenheim, Thomas
通讯作者：
Frauenheim, Thomas
影响因子：
8.6
作者：
Landman;Barnett;Scherbakov;Avouris
通讯作者：
Landman;Barnett;Scherbakov;Avouris
DOI：
10.1142/s021945542250047x
发表时间：
2022-02
影响因子：
3.6
作者：
E. Aydil;J. Zasadzinski;A. T. Ivanova;D. K. Schwartz;Tinglu Yang
通讯作者：
E. Aydil;J. Zasadzinski;A. T. Ivanova;D. K. Schwartz;Tinglu Yang
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
F. Patolsky;Brian P. Timko;Guihua Yu;Ying Fang;Andrew B. Greytak;Gengfeng Zheng;Charles M. Lieber
通讯作者：
F. Patolsky;Brian P. Timko;Guihua Yu;Ying Fang;Andrew B. Greytak;Gengfeng Zheng;Charles M. Lieber