Statistical Variability in Fully Depleted SOI MOSFETs Due to Random Dopant Fluctuations in the Source and Drain Extensions
Statistical Variability in Fully Depleted SOI MOSFETs Due to Random Dopant Fluctuations in the Source and Drain Extensions
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由于源极和漏极扩展中的随机掺杂波动导致完全耗尽型 SOI MOSFET 的统计变化
DOI：
10.1109/led.2011.2179114
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发表时间：
2012
影响因子：
4.9
通讯作者：
Markov S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Markov S
对多达10000个全耗尽薄体绝缘体上硅MOSFET的模拟表明，阈值电压的标准偏差不能充分用作此类晶体管中器件可变性的唯一度量。这是由于阈值电压分布的正态性的急剧偏离，以及源极/漏极掺杂剂波动对全耗尽薄体绝缘体上硅晶体管的导通电流和短沟道效应的增强影响。这两个方面都对统计紧凑模型和低功耗SRAM设计有很大的影响。
Simulations of up to 10 000 fully depleted thin-body silicon-on-insulator MOSFETs show that the standard deviation of the threshold voltage cannot be adequately used as a sole metric of device variability in such transistors. This is due to a sharp departure from normality of the threshold voltage distribution, and an enhanced influence of the source/drain-dopant fluctuations on the on-current and short-channel effects of the fully depleted thin-body silicon-on-insulator transistors. Both aspects have great ramifications for statistical compact models and for low-power SRAM designs.
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通讯作者：
U. Kovac