Effect of growth interruption on molecular-beam epitaxy of InAs quantum dots
Effect of growth interruption on molecular-beam epitaxy of InAs quantum dots
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生长中断对InAs量子点分子束外延的影响
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
森下 義隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
森下 義隆
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在 InP 衬底上生长的缓冲层上形成量子线和量子点
影响因子：
1.8
作者：
A. Stintz;T. Rotter;K. Malloy
通讯作者：
K. Malloy
影响因子：
4
作者：
V. Sichkovskyi;Michal Waniczek;J. Reithmaier
通讯作者：
V. Sichkovskyi;Michal Waniczek;J. Reithmaier
适用于高温应用的长波长量子点 FP 和 DFB 激光器
DOI：
10.1117/12.905873
发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
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作者：
T. Kageyama;K. Takada;K. Nishi;M. Yamaguchi;R. Mochida;Y. Maeda;H. Kondo;K. Takemasa;Y. Tanaka;T. Yamamoto;M. Sugawara;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa
InGaAs 薄层对嵌入 InAl(Ga)As 中的 InAs 量子点的影响
影响因子：
4
作者：
Jin;Jin Hong Lee;S. Hong;W. Han;H. Kwack;D. Oh
通讯作者：
D. Oh
影响因子：
1.8
作者：
S. Banyoudeh;J. Reithmaier
通讯作者：
S. Banyoudeh;J. Reithmaier