Growth of b-FeSi_2 Layers on Si(100) Substrates by Exchange Reaction between Si and Molten Salts
Growth of b-FeSi_2 Layers on Si(100) Substrates by Exchange Reaction between Si and Molten Salts
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通过Si与熔盐之间的交换反应在Si(100)衬底上生长b-FeSi_2层
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuki Morita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tsuyoshi Yoneyama;Takeshi Yoshikawa;Kazuki Morita
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通过退火和 Si 覆盖层生长来聚集单晶 β-FeSi 2
影响因子：
1.5
作者：
T. Suemasu;Masaya Tanaka;T. Hashimoto;Y. Kumagai;Fumio Hasegawa Fumio Hasegawa
通讯作者：
Fumio Hasegawa Fumio Hasegawa
具有 SiO 2 封端和模板的 Si/Fe 多层在 Si(001) 上连续且高度 (100) 取向的 β-FeSi 2 薄膜的生长
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2.1
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通讯作者：
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3.2
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通讯作者：
K. Sickafus