A 50-100-GHz Highly Integrated Octave-Bandwidth Transmitter and Receiver Chipset in ${\hbox{0.35-}}\mu{\hbox {m}}$ SiGe Technology
A 50-100-GHz Highly Integrated Octave-Bandwidth Transmitter and Receiver Chipset in ${\hbox{0.35-}}\mu{\hbox {m}}$ SiGe Technology
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采用 ${hbox{0 35-}}mu{hbox {m}}$ SiGe 技术的 50-100-GHz 高度集成倍频程带宽发射器和接收器芯片组
DOI：
10.1109/tmtt.2014.2337289
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发表时间：
2014
影响因子：
4.3
通讯作者：
D. Kissinger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. Nasr;H. Knapp;K. Aufinger;R. Weigel;D. Kissinger
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DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
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影响因子：
--
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A%2033%%20调谐%20range%20high%20output%20power%20V-band%20超谐波%20耦合%20正交%20VCO%20in%20SiGe%20技术
DOI：
10.1109/rfic.2012.6242286
发表时间：
2012
期刊：
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--
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通讯作者：
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通讯作者：
D. Kissinger
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