An integrated 118.4 to122 GHz low noise phase-locked loop (PLL) in 0.13 µm SiGe BiCMOS technology
An integrated 118.4 to122 GHz low noise phase-locked loop (PLL) in 0.13 µm SiGe BiCMOS technology
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采用 0 13 µm SiGe BiCMOS 技术的集成 118 4 至 122 GHz 低噪声锁相环 (PLL)
DOI：
10.1109/gemic.2016.7461611
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Thiede
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
U. Ali;M. Bober;A. Thiede
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采用 SiGe 技术的 80/160 GHz 收发器和 140 GHz 放大器
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium
影响因子：
--
作者：
E. Laskin;P. Chevalier;A. Chantre;B. Sautreuil;S. Voinigescu
通讯作者：
S. Voinigescu
DOI：
10.1109/eumic.2015.7345071
发表时间：
2015-12
期刊：
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子：
--
作者：
U. Ali;M. Bober;A. Thiede;S. Wagner
通讯作者：
U. Ali;M. Bober;A. Thiede;S. Wagner
DOI：
10.1109/gemic.2015.7107827
发表时间：
2015-03
期刊：
2015 German Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
U. Ali;G. Fischer;A. Thiede
通讯作者：
U. Ali;G. Fischer;A. Thiede
硅 D 频段无线收发器和应用
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Asia-Pacific Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
S. Voinigescu;E. Laskin;I. Sarkas;K. Yau;S. Shahramian;A. Hart;A. Tomkins;P. Chevalier;J. Hasch;P. Garcia;A. Chantre;B. Sautreuil
通讯作者：
B. Sautreuil
采用 SiGe 技术的 165 GHz 收发器
影响因子：
5.4
作者：
E. Laskin;P. Chevalier;A. Chantre;B. Sautreuil;S. Voinigescu
通讯作者：
S. Voinigescu