Spectral and electrical properties of 3 MeV and 10 MeV proton irradiated InGaAsP single junction solar cell
Spectral and electrical properties of 3 MeV and 10 MeV proton irradiated InGaAsP single junction solar cell
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3 MeV和10 MeV质子辐照InGaAsP单结太阳能电池的光谱和电学特性
DOI：
10.7567/1347-4065/aafd19
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发表时间：
2019-02
影响因子：
1.5
通讯作者：
Qi Guo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan Xu;Maliya Heini;Xiaobao Shen;Abuduwayiti Aierken;Xiaofan Zhao;Momin Sailai;Wu Lu;Ming Tan;Yuanyuan Wu;Shulong Lu;Yudong Li;Qi Guo
研究了3MeV和10MeV质子辐照InGaAsP单结太阳电池。基于等效位移损伤法，利用MUSALISS软件计算质子注量。采用SRIM模拟方法对辐照损伤进行了分析。结果表明，3 MeV和10 MeV质子辐照均使电池的外量子效率和电学参数下降。由于基区载流子寿命降低的可能性较大，在较长的波长范围内，EQE的劣化程度更大，并且在相同的位移损伤剂量下，3 MeV质子辐照比10 MeV质子辐照对太阳能电池电学参数的劣化程度更大。
3 MeV and 10 MeV proton irradiated InGaAsP single junction solar cell have been investigated. Proton fluences are calculated by MUSALISS software based on the equivalent displacement damage method. SRIM simulation is used to analyze the irradiation damage. The result shows that the external quantum efficiency (EQE) and electrical parameters of the solar cell are degraded by both 3 MeV and 10 MeV proton irradiation. The degradation of EQE is larger in the longer wavelength region because of the higher probability of carrier lifetime reduction in the base region of the solar cell, and the 3 MeV proton produced more degradation of the electrical parameters of the solar cell than that of 10 MeV proton irradiation under the same displacement damage dose.
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DOI：
10.3390/ma11102046
发表时间：
2018-10-20
期刊：
Materials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Jing Y;Yuan H;Lian Z
通讯作者：
Lian Z
影响因子：
4.4
作者：
K. L. Kennerud
通讯作者：
K. L. Kennerud
影响因子：
6.9
作者：
Yamaguchi, M
通讯作者：
Yamaguchi, M
影响因子：
4
作者：
Aurangzeb Khan;M. Yamaguchi;T. Takamoto
通讯作者：
Aurangzeb Khan;M. Yamaguchi;T. Takamoto
1-MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结太阳能电池及其组件子电池的影响
DOI：
10.1007/s11432-017-9248-2
发表时间：
2017-11
期刊：
SCIENCE CHINA Information Sciences
影响因子：
--
作者：
X. F. Zhao;M. Heini;M. Sailai;A. Aierken;Q. Guo;Y. D. Li;S. L. Lu;P. Dai;Y. Y. Wu;M. Tan
通讯作者：
M. Tan