Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
Si(100)表面におけるBiナノワイヤ形成過程の走査トンネル顕微鏡観察
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Si(100)表面Bi纳米线形成过程的扫描隧道显微镜观察
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大垣真治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Itoh;大垣真治
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SI(001)表面氧吸附的扫描隧道显微图像
DOI：
10.1103/physrevb.55.9356
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Uchiyama;M. Tsukada
通讯作者：
M. Tsukada
实时紫外光电子能谱同时观察Si(0 0 1)表面室温氧化过程中的吸氧曲线和电子态
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Ogawa;Y. Takakuwa
通讯作者：
Y. Takakuwa
Si(100)-(2×1)表面C型缺陷的起源
影响因子：
3.7
作者：
M. Nishizawa;T. Yasuda;S. Yamasaki;K. Miki;M. Shinohara;N. Kamakura;Y. Kimura;M. Niwano
通讯作者：
M. Niwano
扫描隧道显微镜研究Si(001)2×1表面热氧化的初始阶段
DOI：
10.1063/1.351912
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Udagawa;Masaaki Niwa Sumita
通讯作者：
Masaaki Niwa Sumita
DOI：
10.1380/jsssj.23.536
发表时间：
2002
期刊：
Hyomen Kagaku
影响因子：
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作者：
Y. Takakuwa
通讯作者：
Y. Takakuwa