Structure and electrical properties of HfO2 high-k films prepared by pulsed laser deposition on Si (100)
Structure and electrical properties of HfO2 high-k films prepared by pulsed laser deposition on Si (100)
复制标题
Si (100) 脉冲激光沉积 HfO2 高 k 薄膜的结构和电学性能
DOI：
10.1007/s00339-008-4695-8
复制
发表时间：
2008-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiao, Z. S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Q.;Jiang, Y.;Huang, A. P.;Xiao, Z. S.
采用脉冲激光沉积法在Si（100）衬底上生长了高k栅介质二氧化铪薄膜。在空气和N2气氛中500°C退火后，薄膜为非晶态，为单斜和正交晶，
High-k gate dielectric hafnium dioxide films were grown on Si (100) substrate by pulsed laser deposition at room temperature. The as-deposited films were amorphous and that were monoclinic and orthorhombic after annealed at 500°C in air and N2 atmosphere,
登录
查看更多内容
影响因子：
6.7
作者：
He, G.;Zhu, L. Q.;Zhang, L. D.
通讯作者：
Zhang, L. D.
影响因子：
3.5
作者：
S. Nam;J. Yoo;Suheun Nam;Hyo-Jick Choi;Dong Won Lee;D. Ko;Jooho Moon;J. Ku;Si-young Choi
通讯作者：
S. Nam;J. Yoo;Suheun Nam;Hyo-Jick Choi;Dong Won Lee;D. Ko;Jooho Moon;J. Ku;Si-young Choi
影响因子：
3.1
作者：
Yang, KJ;Hu, CM
通讯作者：
Hu, CM
影响因子：
4.1
作者：
Pereira, L.;Barquinha, P.;Martins, R.
通讯作者：
Martins, R.
影响因子：
3.2
作者：
A. Huang;P. Chu
通讯作者：
A. Huang;P. Chu