Material removal rate of 6H-SiC crystal substrate CMP using an alumina (Al2O3) abrasive
Material removal rate of 6H-SiC crystal substrate CMP using an alumina (Al2O3) abrasive
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使用氧化铝（Al2O3）磨料的6H-SiC晶体基板CMP的材料去除率
DOI：
10.1088/1674-4926/33/10/106003
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发表时间：
2012-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
马利杰
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
苏建修;杜家熙;马利杰
以氧化铝磨料在化学机械抛光中的应用为例，研究了抛光液组成、pH值、磨料粒度及其浓度、分散剂和氧化剂、抛光平台和载体的转速以及抛光压力等因素对碳化硅晶体衬底(0001)Si和(0001)C表面材料去除速率的影响。本文的研究结果将为碳化硅晶体衬底化学机械抛光浆料的研制、工艺参数的优化以及材料去除机理的研究提供参考。
The influences of the polishing slurry composition, such as the pH value, the abrasive size and its concentration, the dispersant and the oxidants, the rotational velocity of the polishing platen and the carrier and the polishing pressure, on the material removal rate of SiC crystal substrate (0001) Si and a (0001) C surface have been studied based on the alumina abrasive in chemical mechanical polishing (CMP). The results proposed by our research here will provide a reference for developing the slurry, optimizing the process parameters, and investigating the material removal mechanism in the CMP of SiC crystal substrate.
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影响因子：
2.1
作者：
Canhua Li;I. Bhat;Rongjun Wang;J. Seiler
通讯作者：
Canhua Li;I. Bhat;Rongjun Wang;J. Seiler
影响因子：
2.1
作者：
Li, CH;Bhat, IB;Seiler, J
通讯作者：
Seiler, J
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.605
发表时间：
2009-03
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
G. Lee;Hyun-Hee Hwang;C. Son;J. Choi;Won Jae Lee;B. Shin;J. Seo;K. Ku;Haedo Jeong
通讯作者：
G. Lee;Hyun-Hee Hwang;C. Son;J. Choi;Won Jae Lee;B. Shin;J. Seo;K. Ku;Haedo Jeong
DOI：
--
发表时间：
1999-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Powell;Pirouz
通讯作者：
J. Powell;Pirouz
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.569.133
发表时间：
2008-01
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Hojun Lee;Boumyoung Park;H. Lee;Sukhoon Jeong;H. Seo;Sukbae Joo;Haedo Jeong;H. Kim
通讯作者：
Hojun Lee;Boumyoung Park;H. Lee;Sukhoon Jeong;H. Seo;Sukbae Joo;Haedo Jeong;H. Kim