A Dopant Cluster in a Highly Antimony Doped Si licon Crystal
A Dopant Cluster in a Highly Antimony Doped Si licon Crystal
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高锑掺杂硅晶体中的掺杂簇
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Tanishiro and K. Takayanagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kim;Y. Oshima;H. Sawada;N. Hashikawa;K. Asayama;T. Kaneyama;Y. Kondo;Y. Tanishiro and K. Takayanagi
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DOI：
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发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Larsen;F. T. Pedersen;G. Weyer;R. Galloni;R. Rizzoli;A. Armigliato
通讯作者：
A. Armigliato
深度低于 100 NM MOS 的结：离子注入将带我们走多远？
DOI：
10.1557/proc-610-b1.2
发表时间：
2000
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
H. Gossmann;C. Rafferty;P. Keys
通讯作者：
P. Keys
高n掺杂硅：使施主缺陷失活
影响因子：
3.7
作者：
D. C. Mueller;W. Fichtner
通讯作者：
W. Fichtner
使用高分辨率 X 射线衍射和透射电子显微镜表征高 Sb 掺杂硅
影响因子：
3.2
作者：
H. Radamson;M. Sardela;L. Hultman;G. V. Hansson
通讯作者：
G. V. Hansson
影响因子：
64.8
作者：
Voyles, PM;Muller, DA;Gossmann, HJL
通讯作者：
Gossmann, HJL