Analysis of ITO/p-GaN interfaces by synchrotron radiation hard x-ray photoemission spectroscopy and their electrical characteristics
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同步辐射硬X射线光电子能谱分析ITO/p-GaN界面及其电学特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kobavashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Toyoshima;K. Horiba;J. Ohta;H. Fujioka;M. Oshima;H. Miki;Y. Fakeda;Y. Taito;H. Yoshikawa;K. Kobavashi
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GaAs 和 GaP 衬底上分子束外延生长 GaN 薄膜的带隙
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Hooper
Ti/n型GaN界面反应的光电子研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Applied Scurface Science 244
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通讯作者：
H.Hamamatsu
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通讯作者：
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发表时间：
2006
期刊：
Applied Physics Letters 88
影响因子：
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作者：
T.Naono;H.Fujioka;J.Okabayashi;M.Oshima;H.Miki
通讯作者：
H.Miki